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長鑫存儲宣布其設計産能12萬片生産線投産

稿件來源: 發布時間:2019-09-20
       新華社消息,在合肥召開的2019世界制造業大會上,總投資約1500億元的長鑫存儲内存芯片制造項目宣布投産,其與國際主流DRAM産品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設計産能每月12萬片晶圓。 

  該項目2016年5月由合肥市政府旗下合肥産投與兆易創新共同出資組建。目前,項目已獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術标準化研究院的量産良率檢測報告。 

  長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明介紹,長鑫存儲投産的8Gb DDR4通過了多個國内外大客戶的驗證,今年底正式交付,另有一款供移動終端使用的低功耗産品也即将投産。 

  長鑫存儲副總裁平爾萱日前在另一場合表示,公司已經成功把從奇夢達獲得的46納米堆棧式DRAM平穩過度到10納米級别,公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術和新工藝在DRAM上的實現,力争未來成爲存儲領域的領先者。 

  (來源: 大半導體産業網   2019年9月20日) 

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